| 专利名称 | 静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用 | 申请号 | CN201410253724.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103991914A | 公开（授权）日 | 2014.08.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 向斌;沈梦;杨雷 | 主分类号 | C01G53/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G53/04(2006.01)I;B01J23/755(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用 至静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍，N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体，通过简单的静电纺丝的方法，在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程，由于气相的逸出，产生孔洞空穴等，致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷，降低表面能，使得NiO的高能面能够保存下来，大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度，定量计算高能面原子密度，从而达到可控的提高光催化效率，这为以后的催化研究提供了方向。 |
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