一种新型激光晶体和周期极化晶体的离子光胶芯片

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专利名称 一种新型激光晶体和周期极化晶体的离子光胶芯片 申请号 CN201420085941.5 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN203787760U 公开(授权)日 2014.08.20 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 梁万国;陈祥洲;陈怀熹;宋国才;缪龙;冯新凯;邹小林;周煌 主分类号 H01S3/16(2006.01)I IPC主分类号 H01S3/16(2006.01)I 专利有效期 一种新型激光晶体和周期极化晶体的离子光胶芯片 至一种新型激光晶体和周期极化晶体的离子光胶芯片 法律状态 说明书摘要 本实用新型为一种新型激光芯片。本实用新型中的新型激光芯片是基于激光晶体和周期性极化晶体组成的,通过在清洗干净的晶体表面处理使其形成悬键,然后压紧并通过退火使两个晶体键合,增强晶体间的连接强度,使最终制作的激光芯片性能优越。

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