| 专利名称 | 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法 | 申请号 | CN201410220512.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103996673A | 公开（授权）日 | 2014.08.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 郭红霞;陈伟;郭旗;何承发;罗尹虹;文林;王玲;张凤祁;赵雯;肖尧 | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/552(2006.01)I;G21F1/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法 至一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。 |
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