| 专利名称 | 一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法 | 申请号 | CN201410237974.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103996458A | 公开（授权）日 | 2014.08.20 | 申请（专利权）人 | 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 黄德萍;姜浩;朱鹏;史浩飞;崔华亭;钟达 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法 至一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提升石墨烯薄膜导电性能的方法，先用臭氧或紫外光/臭氧处理附着于基底上的石墨烯薄膜，再用非金属无机酸对附着于基底上的石墨烯薄膜进行处理。本发明的方法处理之后的石墨烯薄膜，不仅可以降低其方阻，更为重要的是可以使石墨烯薄膜的方阻长期保持稳定，且在较高温度下，方阻变化不大，从而方便后续进行图案化等处理，促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻和透光率要求较高的工业领域进行广泛应用。 |
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