一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法

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专利名称 一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法 申请号 CN201410250429.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103991841A 公开(授权)日 2014.08.20 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李昕欣;陈传钊;许鹏程 主分类号 B81C1/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C1/00(2006.01)I 专利有效期 一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法 至一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法,包括步骤:1)提供一表面具有微通道和储液池的基底,生长第一自组装单层膜;2)提供一具有镂空结构的硬掩膜,对准后,利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域,使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除;3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜。4)重复步骤2),局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域,并在这一区域生长第三自组装单层膜;5)继续重复上述去除和生长步骤,实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。该方法可应用于多功能微流控芯片的批量制造,且材料制备简单成熟,易于操作,单次操作成本低廉,具有较强的推广及应用价值。

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