| 专利名称 | GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法 | 申请号 | CN201410231897.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103985747A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 李海欧;郭国平;尤杰;曹刚;肖明;郭光灿 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法 至GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体，所述结构体包括GaAs/AlGaAs异质结基片，顶层金属栅极300，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底101、AlGaAs缓冲层102、AlGaAs掺杂层103、AlGaAs隔离层104、表面的GaAs盖帽层105，其中GaAs衬底101中具有二维电子气区106。 |
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