非制冷长波红外探测器用吸收层结构

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专利名称 非制冷长波红外探测器用吸收层结构 申请号 CN201420028407.0 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN203772418U 公开(授权)日 2014.08.13 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩 主分类号 G01J5/02(2006.01)I IPC主分类号 G01J5/02(2006.01)I;G01J5/08(2006.01)I 专利有效期 非制冷长波红外探测器用吸收层结构 至非制冷长波红外探测器用吸收层结构 法律状态 说明书摘要 本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构,该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上,自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于:第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜,作为减反层和器件保护层,膜厚为1000nm 1200nm;第二金属层是膜厚为8nm 12nm的镍铬合金层,作为红外波段的吸收层;第三绝缘层是膜厚为50nm 100nm的二氧化硅薄膜,作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单,易与现有的微电子工艺兼容,适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8 14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。

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