| 专利名称 | 用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架 | 申请号 | CN201420028369.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203768483U | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志 | 主分类号 | C30B19/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/06(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I | 专利有效期 | 用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架 至用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。 |
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