| 专利名称 | 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置 | 申请号 | CN201420028370.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203768484U | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志 | 主分类号 | C30B19/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/10(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置 至一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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