| 专利名称 | 正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器 | 申请号 | CN201420028341.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203774351U | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;欧阳程;周炜;吴敬;高艳卿;黄敬国;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器 至正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。 |
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