| 专利名称 | 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 | 申请号 | CN201410217764.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103985788A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;母志强;郭庆磊;叶林;陈达;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 专利有效期 | 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 至张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。 |
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