| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201310050114.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103985753A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；阱区中的接触区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅金属、位于背栅金属两侧的半导体鳍片、以及将背栅金属与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区和阱区作为背栅金属的导电路径的一部分，并且背栅金属经由接触区与阱区相连；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅金属上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅金属与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。 |
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