| 专利名称 | 一种制备铜柱凸点的方法 | 申请号 | CN201410218948.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103985647A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明（设计）人 | 刘文龙;于中尧 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备铜柱凸点的方法 至一种制备铜柱凸点的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。 |
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