| 专利名称 | 一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法 | 申请号 | CN201410192957.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103984211A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;李雄;王长涛;王彦钦;赵泽宇;胡承刚;蒲明薄;王炯;高国函;马晓亮 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法 至一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法，主要步骤为：(1)选择或配置一种光刻胶，其含有对不同波长激光响应的聚合引发剂和聚合抑制剂；(2)选择对应的聚合引发激光器和聚合抑制激光器；(3)制作两个掩模版，其掩模图形形状和尺寸均相同或相似；(4)掩模版1和掩模版2在聚合抑制和聚合引发激光的作用下，通过二向色镜和透镜合束成像在同一个平面内，所成的像在空间上部分交叠；(5)将含有聚合引发剂，聚合抑制剂的光刻胶样品放置在成像平面上进行曝光及显影，得到高分辨的成像光刻图形。本发明具有光刻分辨率高，加工效率高等优点，在超越衍射极限的高效率，低成本纳米加工技术领域具有很大的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障