| 专利名称 | 一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201410194094.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103964507A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 向斌;杨雷;黄建;伏启 | 主分类号 | C01G39/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G39/06(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法 至一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法，所述过渡金属硫属化物薄膜具有由MX2表示的化学组成，其中M＝Mo或W；X＝S或Se，所述薄膜的面积大于0.01mm2。 |
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