| 专利名称 | 一种发散中性束束流密度磁体结构 | 申请号 | CN201420072483.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203760241U | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 梁立振;韦江龙;胡纯栋;王艳;赵祥学;谢远来;邑伟;杨思浩;顾玉明 | 主分类号 | H01F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F7/00(2006.01)I;H01F7/06(2006.01)I;H01F3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种发散中性束束流密度磁体结构 至一种发散中性束束流密度磁体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种发散中性束束流密度磁体结构，包括有线圈、电磁铁铁轭，电磁铁铁轭包括有两个边铁轭、两个楣铁轭以及上铁轭、下铁轭，电磁铁铁轭中设有铁芯，铁芯平面与电磁铁磁隙中平面呈4.33度夹角，电磁铁出入口磁隙大小与铁芯两端开口大小一致。本实用新型的铁芯的切角结构在束流传输方向形成一定的倾斜入口磁场和倾斜出口磁场，本实用新型可满足束流离子在其传输方向垂直平面内发散的要求，可有效降低中性束注入器内部部件热流密度。 |
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