| 专利名称 | 一种超薄绝缘体上材料的制备方法 | 申请号 | CN201410222756.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103972148A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;薛忠营;王刚;刘林杰;郭庆磊;母志强;狄增峰 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超薄绝缘体上材料的制备方法 至一种超薄绝缘体上材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种超薄绝缘体上材料的制备方法，包括步骤：1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层；4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底；5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度；6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层；7)退火剥离所述缓冲层与待转移层，获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时，通过第二次剥离，还制备了另外一种绝缘体上材料，即，缓冲材料，这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。 |
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