| 专利名称 | 一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法 | 申请号 | CN201410222244.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103972128A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨成樾;周静涛;金智;任田昊 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法 至一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，该方法包括：在刻蚀肖特基接触孔的同时，在刻蚀肖特基接触孔的同一个衬底沉积有金属的区域上刻蚀两组圆形监控图形；以及在刻蚀肖特基接触孔一定时间后，通过在扫描电镜下观察这两组圆形监控图形的形貌来确定目标肖特基接触孔的最优刻蚀时间。利用本发明，可以最优化刻蚀时间，且本发明具有工艺简单的特点。 |
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