| 专利名称 | 金属氧化物薄膜场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201310040049.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103972095A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 潘革波;肖燕 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;B41J3/407(2006.01)I;B41J2/01(2006.01)I | 专利有效期 | 金属氧化物薄膜场效应晶体管的制备方法 至金属氧化物薄膜场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种金属氧化物薄膜场效应晶体管的制备方法，包括在衬底上制作有源层的工序，所述的有源层是通过气体喷印工艺将金属氧化物喷印到接收层上形成的；其中，所述气体喷印工艺的步骤包括：S1、对金属氧化物进行加热使之升华成气雾；S2、将所述气雾喷射到接收层上。本发明通过气体喷印工艺实现了低成本、纳米尺度高效金属氧化物薄膜场效应晶体管的制作，具有操作简单，定位准确，应用范围广的优点；无需将固体溶解配成溶液，既可以克服喷墨打印、电纺丝等纳米制造技术中溶液配置带来的困扰，同时又能克服传统PVD、CVD和真空蒸镀过程中存在的难分离，无法准确定位的缺点。 |
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