| 专利名称 | 抗辐射SRAM单元 | 申请号 | CN201410223064.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103971734A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘鑫;刘梦新;赵发展;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 抗辐射SRAM单元 至抗辐射SRAM单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括以下结构：反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由两个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线j反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进的SRAM存储单元，使得每个结点都通过一个PMOS和一个NMOS控制另外两个节点，同时每一个结点也都受到一个PMOS和NMOS的控制，这样就实现了节点间的闭环反馈控制，有效的提高了抗高电平翻转能力。 |
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