| 专利名称 | 微纳尺度静电力开关及其制造方法 | 申请号 | CN201310035425.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103964364A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 聂鹏飞;朱慧珑;粟雅娟;贾昆鹏;杨杰 | 主分类号 | B81B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 微纳尺度静电力开关及其制造方法 至微纳尺度静电力开关及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料，利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关，开启电压小，不需要较大的驱动电路，能够缩小微纳机械开关的尺寸并与CMOS兼容。 |
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