| 专利名称 | 透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置 | 申请号 | CN201410178755.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956199A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 吕明昌;宋秋明;杨春雷;顾光一;马续航;冯叶;肖旭东 | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置 至透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置，透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤：预备磁控溅射设备、靶材和衬底；所述靶材是掺杂有ZnF2的ZnO陶瓷靶材，ZnF2的质量占所述靶材的总质量的0.1％～1％；为衬底建立相对于靶材的、大小为60V～300V的负电势；以及通入工艺气体，开启磁控溅射，在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法，在透明导电薄膜的沉积过程中，通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V～300V的负电势的背电极，形成稳定的逆向电场，阻止高能O-离子对已沉积薄膜的轰击。相对于传统透明导电薄膜的制备方法，这种透明导电薄膜的制备方法，可以制备得到质量较好的透明导电薄膜。 |
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