| 专利名称 | 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 | 申请号 | CN201410191727.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956408A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 黄北举;张赞;张赞允;程传同;毛旭瑞;陈弘达 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/173(2006.01)I | 专利有效期 | 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 至采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。 |
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