| 专利名称 | 一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201410146632.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956391A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 宋伟杰;蒋迁;王维燕;张贤鹏;黄金华;许炜;曾俞衡 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法 至一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种AZO/Si异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的AZO/Si异质结太阳电池从上到下结构依次包括金属栅电极、窗口层、钝化层、晶硅层和金属背电极，其中以高氢掺杂的HAZO薄膜作为钝化层，有效减少了界面处的有效复合中心，从而减小漏电流，提高太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的转化效率。本发明的特点是在Si表面直接溅射沉积AZO形成异质结，通过调控溅射气氛中氢气比例，既简单有效地钝化界面缺陷，又提高载流子的迁移能力，从而提高电池的开路电压、短路电流密度以及转化效率。且制备工艺简单，钝化层与窗口层在同一设备中连续沉积完成，无需更换靶材，不增加设备工序，适合大面积工业化生产。 |
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