| 专利名称 | 一种紫外发光二极管器件的制备方法 | 申请号 | CN201410183522.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956414A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张韵;孙莉莉;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 一种紫外发光二极管器件的制备方法 至一种紫外发光二极管器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件制备方法中，pn结台面的材料均为AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1，且有源区中Al组分最低，即整个发光二极管pn结台面结构对有源区发出的光是透明的。因此本发明的紫外发光二极管结构解决了p型GaN层吸收紫外光的问题，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。 |
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