| 专利名称 | 一种H型栅SOI器件的建模方法 | 申请号 | CN201410163198.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103955570A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种H型栅SOI器件的建模方法 至一种H型栅SOI器件的建模方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种SOI?MOS器件的建模方法，其中该SOI?MOS器件为H型栅SOI?MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。根据本发明提供的建模方法，考虑H型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对H型栅SOI器件的仿真设计。 |
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