| 专利名称 | 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 | 申请号 | CN201410204718.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956653A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 乐伶聪;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;杨静;何晓光;李晓静;杨辉 | 主分类号 | H01S5/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/06(2006.01)I | 专利有效期 | 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 至减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。 |
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