| 专利名称 | 一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元 | 申请号 | CN201410208999.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956184A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元 至一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元，该单元包括以下结构：4个反相器结构，所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由4个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进后的基于DICE结构的SRAM存储单元，避免了传统六管单元结构静态噪声容限小，传输易出错的缺陷，解决了现有基于DICE结构SRAM存储单元易受存储节点电平影响的问题，提高了存储单元的可靠性。 |
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