| 专利名称 | 抗辐射SRAM单元 | 申请号 | CN201410168019.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956183A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;赵发展;刘鑫;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 抗辐射SRAM单元 至抗辐射SRAM单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括：反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管或PMOS管和另一个反相器结构的一个NMOS管或PMOS管的栅电压；传输结构，由第五NMOS管、第六NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点；稳定控制结构，用于对存储节点进行控制，由两个NMOS管构成。本发明通过增加稳定控制结构，提高了整个电路的稳定性。 |
1、源头对接，价格透明
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