| 专利名称 | 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 | 申请号 | CN201410222652.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103956428A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 至一种降低阻变存储器电铸电压的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态。之后对阻变存储器的电铸过程，可以发现电铸电压明显降低。本发明操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。 |
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