| 专利名称 | 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法 | 申请号 | CN201410221679.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103955023A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 | 主分类号 | G02B6/13(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/13(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法 至一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到表面等离子体激元纳米光子器件。利用本发明，解决了目前纳米光子器件尺寸大、制备复杂成本高的问题。 |
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