| 专利名称 | 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 | 申请号 | CN201410121021.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103954819A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李琼;马文全;张艳华;黄建亮 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 至近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值 |
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