| 专利名称 | 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板 | 申请号 | CN201410142703.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103954804A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张瑾;仇志杰;温旭辉 | 主分类号 | G01R1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板 至一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）。上铜层（0101）刻蚀有正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0204）、第二门极区（0205），以及门极桥接区（0206），六个电路区域之间有绝缘沟道（0209）。第一门极区（0204）位于上铜层（0101）的左端，第一门极区（0204）的上方和右方为正电极区（0201），第一门极区（0204）的下方为公共电极区（0202）。公共电极区（0202）的右侧为负电极区（0203）。负电极区（0203）的左侧及下方为公共电极区（0202），右侧为第二门极区（0205）。门极桥接区（0206）位于负电极区（0203）内部，并且，门极桥接区（0206）位于覆铜陶瓷基板（01）的横轴中心线上。 |
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