| 专利名称 | 金核氧化亚铜壳复合纳米结构的制备方法及复合纳米结构 | 申请号 | CN201410115188.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103934466A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 时晓伟;吴晓春 | 主分类号 | B22F9/24(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F9/24(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 金核氧化亚铜壳复合纳米结构的制备方法及复合纳米结构 至金核氧化亚铜壳复合纳米结构的制备方法及复合纳米结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种金核氧化亚铜壳复合纳米结构的制备方法及复合纳米结构。所述制备方法包括将金纳米棒、表面活性剂、可溶性铜盐、强碱和还原剂配制成混合溶液，使金纳米棒外表面生长出氧化亚铜壳；其中所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，所述还原剂为抗坏血酸。本发明的制备方法采用新的表面活性剂和无毒的还原剂，在室温的条件下即可制备出金核氧化亚铜壳复合纳米结构，所述复合纳米结构的氧化亚铜壳层厚度在30nm以下，既具有金纳米棒的光学特性也具有纳米氧化亚铜的光学特性。 |
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