| 专利名称 | 一种二维半导体合金、其制备方法及用途 | 申请号 | CN201410141591.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103938176A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 谢黎明;冯晴亮;张锦 | 主分类号 | C23C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/06(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维半导体合金、其制备方法及用途 至一种二维半导体合金、其制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种二维半导体合金的制备方法，所述二维半导体合金的通式为MoS2(1-x)Se2x，其中0＜x≤1；所述方法为：无氧环境中，加热分别放置于石英管中的硫化钼和硒化钼至挥发，保持挥发温度，在通入的保护性气体气流的作用下，挥发后的硫化钼和硒化钼在硅基底上化学气相沉积形成二维半导体合金材料。本发明提供的二维半导体合金MoS2(1-x)Se2x能够通过调节x的值来实现带隙的连续可调；通过控制硫化钼和硒化钼的挥发量实现了二维半导体合金MoS2(1-x)Se2x的带隙可调。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障