| 专利名称 | 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 | 申请号 | CN201410184396.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943714A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 宋国峰;许斌宗;韦欣;刘杰涛;相春平;付东;徐云 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 专利有效期 | 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 至基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层；形成于上掺杂层上的金属光栅层，该金属光栅层为二维周期性亚波长光栅；其中，入射光波由半导体衬底未沉积薄膜的一面射入，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明采用二维的周期性金属孔阵结构，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体界面附近，可以弥补减薄的吸收层损失的探测率。 |
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