| 专利名称 | 每单元多比特存储装置 | 申请号 | CN201410156241.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943138A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 汪辉;施琛;田犁;章琦;汪宁;方娜;封松林 | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 专利有效期 | 每单元多比特存储装置 至每单元多比特存储装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一每单元多比特存储装置，该装置包括：存储单元阵列、行地址译码模块、列地址译码模块、读写控制模块、多条第一字线和多条第一位线。本发明采用了具有内嵌隧穿场效应管的半浮栅晶体管作为存储单元进行数据存储，一方面利用隧穿二极管的带-带隧穿特性可以实现较快速度的写操作，另一方面通过对晶体管阈值电压的分段控制，实现了每单元多比特的存储。 |
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