| 专利名称 | 一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法 | 申请号 | CN201410189193.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943512A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;王慧山;孙秋娟;卢光远;陈吉;张学富;吴天如;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法 至一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。 |
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