| 专利名称 | 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法 | 申请号 | CN201310024414.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943547A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;狄增峰;薛忠营;魏星;王刚 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法 至基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；接着再将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。本发明采用增强吸附来实现键合片的有效剥离。剥离后的表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高。 |
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