| 专利名称 | 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 | 申请号 | CN201410184117.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943738A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘娜;孙雪娇;孔庆峰;梁萌;王莉;魏同波;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 至抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在金属电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。 |
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