| 专利名称 | 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201410153249.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103943677A | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;纪攀峰;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 至一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀形成台阶；分别形成氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源极，形成于氮化镓帽层上的栅极，其中，漏极、源极和栅极各自的下方直至衬底背面分别形成通孔，三个通孔的侧壁形成绝缘层，其内部填充金属，从而将漏极、源极和栅极电性连接至衬底背面。本发明将漏极、栅极、源级的金属层用导电通道的方法连接到衬底背面，在原有器件性能不变的基础上，能大大缩减封装器件的体积。 |
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