| 专利名称 | APD温度自适应近红外单光子探测装置 | 申请号 | CN201320859186.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203732166U | 公开（授权）日 | 2014.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张战盈;徐赤东;纪玉峰;余东升;方蔚恺;张伟丽 | 主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | 专利有效期 | APD温度自适应近红外单光子探测装置 至APD温度自适应近红外单光子探测装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了APD温度自适应近红外单光子探测装置，包括雪崩光电二极管APD、直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块和外壳；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路与DC-DC高压模块输入端连接；雪崩光电二极管APD的阴极通过电阻R1与DC-DC高压模块输出端连接；雪崩光电二极管APD的阳极与信号放大输出电路连接；雪崩光电二极管APD的阳极通过负载电阻R2接地；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块安装在外壳的内腔；雪崩光电二极管APD嵌入外壳的前端。本实用新型通过直流偏压温度跟随电路，保证温度变化时APD增益的稳定。 |
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