| 专利名称 | 一种相变存储单元 | 申请号 | CN201420072764.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203721775U | 公开（授权）日 | 2014.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;黄荣;张杰;卫芬芬;程国胜 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储单元 至一种相变存储单元 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本实用新型易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障