| 专利名称 | GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201320828702.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203720111U | 公开（授权）日 | 2014.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 | 主分类号 | G01N23/207(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/207(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I | 专利有效期 | GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 至GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验设备领域。该微型晶体生长炉采用顶部加热方式，使实验晶体上表面均匀熔化形成一层薄膜，该薄膜从表面到晶体可形成熔体、边界层和晶体的三个区域。采用不同的入射角的X射线对晶体表面和薄膜进行掠入射扫描，可分别采集到薄膜不同深度处的衍射谱，以及与之相对应的薄膜不同深度的有序度及其变化。 |
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