| 专利名称 | 一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 | 申请号 | CN201410177651.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103928583A | 公开（授权）日 | 2014.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王斌;于广辉;赵志德;徐伟;张燕辉;陈志蓥;隋妍萍 | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 至一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。 |
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