光刻机光源与掩模的联合优化方法

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专利名称 光刻机光源与掩模的联合优化方法 申请号 CN201410160451.1 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103926802A 公开(授权)日 2014.07.16 申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 李兆泽;李思坤;王向朝 主分类号 G03F7/20(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/76(2012.01)I 专利有效期 光刻机光源与掩模的联合优化方法 至光刻机光源与掩模的联合优化方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种光刻机光源与掩模优化方法,利用像素化的光源照明模式与掩模,将理想图形与当前光源照明模式曝光下掩模对应的光刻胶像之间欧氏距离的平方作为评价函数,利用随机并行梯度速降算法计算评价函数的梯度信息,通过评价函数的梯度信息引导光源与掩模的优化过程,获得最佳的光源照明模式与掩模图形。本发明避免了求解评价函数梯度解析表达式,降低了优化的复杂程度,提高了优化效率,有效提高了光刻机的分辨率。

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