| 专利名称 | 低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置 | 申请号 | CN201410140855.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103922310A | 公开（授权）日 | 2014.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;刘畅;成会明;石超;丛洪涛 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置 至低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体为一种低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及其专用装置。催化剂前驱体、生长促进剂、惰性剂粉末在常温下混合均匀，由载气及碳源匀速、极低量输入反应区，反应区为垂直或水平管式炉。其中生长温度为500～1000℃，催化剂前驱体为Fe、Ni或Co的有机化合物、无机盐、纯金属粉末等，供量为2×10-8～2.9×10-7克当量/小时·cm2；生长促进剂为含硫有机物，供量为1×10-10～2.9×10-9克当量/小时·cm2；碳源为小分子碳氢化合物，供量为1×10-5～3.9×10-4克当量碳/分钟·cm2；载气为氩气或氮气或氦气或氢气，供量为1～100ml/分钟·cm2。生长过程中根据需要通入刻蚀剂，实现低成本、低能耗、宏量生产高纯度、高质量、平直、小直径碳纳米管。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障