提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构

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专利名称 提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构 申请号 CN201410120046.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103925994A 公开(授权)日 2014.07.16 申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 刘华;全向前;许家林;卢振武;王晓朵;党博石 主分类号 G01J3/02(2006.01)I IPC主分类号 G01J3/02(2006.01)I;G01J3/28(2006.01)I 专利有效期 提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构 至提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构,属于光电仪器制造技术领域,为了解决现有技术哈达玛变换光谱仪的编码、采集时间非常长的问题,控制FPGA将哈达玛编码条纹数据预存到FLASH中;Cortex-M3通过RS-232给FPGA发送开始编码的命令;FPGA接收到命令后,读取FLASH中255帧编码条纹数据到DDR2内存中,通过DAD驱动DMD播放编码条纹,对光谱进行编码;当DMD稳定后,FPGA会发送一个同步信号触发Cortex-M3对光谱信号进行采集,将探测器采集到的信号通过直流放大电路放大及ADC进行转换得到数字信号,最后将测得的信号存放在Cortex-M3中,当所有编码完成后进行解码。

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