| 专利名称 | 降低射频鞘引起的杂质通量的充气结构 | 申请号 | CN201420028772.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203706676U | 公开（授权）日 | 2014.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 张新军;袁帅;龚先祖 | 主分类号 | G21B1/11(2006.01)I | IPC主分类号 | G21B1/11(2006.01)I | 专利有效期 | 降低射频鞘引起的杂质通量的充气结构 至降低射频鞘引起的杂质通量的充气结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种降低射频鞘引起的杂质通量的充气结构，包括有天线和充气管，天线包括有箱体，箱体中设有多个电流带，各电流带上置有法拉第屏蔽；天线的两侧分别设有一个保护限制器，两保护限制器的另一侧布置有充气管，充气管中充入不与等离子体反应的气体，充气管具有充气口和出气口，充气口安装开关控制充气量，出气口端面略靠后于保护限制器端面，每个出气口的充气量都可以单独控制，从充气管出气口出来的气体进入等离子体。本实用新型通过出气口充气量的控制能够有效地保证能射频鞘作用的天线区密度的提高，从而有效地降低了射频鞘引起的杂质通量。 |
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