| 专利名称 | 一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法 | 申请号 | CN201410121137.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103911667A | 公开（授权）日 | 2014.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙士文;何力;杨建荣;周昌鹤;虞慧娴;徐超;盛锋锋 | 主分类号 | C30B29/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法 至一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大，质量优。 |
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